通過實驗TDK貼片電容確定有三個重要參數(shù)可幫助設(shè)計工程師確定最佳的ESD電容器值: (1)擊穿電壓、(2)電容量和(3)直流偏壓。

1.Vbd試驗結(jié)果示例

Vbd（Voltage BreakDown，擊穿電壓）是用于量化電容器電壓等級強度的方法。以固定電壓斜率（即: 100v/s）將直流電壓印加到電容器，直到部件故障。這能確定電容器可承受的最大持續(xù)電壓，但不會直接指示最大ESD電壓等級。

2.DUT效應(yīng)是指在ESD試驗電路中被測試的電容器上看到的有效電壓。

點分析顯示測定電壓（VX）與DUT （CX）之間的關(guān)系:

通過電源電壓（VO）和充電電容器（CO）保持不變，測定電壓（VX）和電容器電容器（CX）之間的關(guān)系成反比。這表示選擇的CX值越高，VX越小。
為說明電容器效應(yīng)，以1000pF 電容器 （CX）的4kV （VO） ESD要求為例。同時還假定我們采用的是使用CO=150pF的AEC-Q200試驗方法。DUT效應(yīng)關(guān)系顯示印加4kV時，CX只顯示521.7V （VX）。

3.給陶瓷電容器印加直流偏壓時、有效電容量可能與標(biāo)稱電容量不同。直流偏壓通常用針對標(biāo)稱值的電容量變化百分比表示。

直流偏壓大多是由于電介質(zhì)材料。當(dāng)然其它設(shè)計和結(jié)構(gòu)因素也起一定作用。對于Class I電介質(zhì)（如：C0G）變化相對較小。對于Class II（如：X7R和X5R），您可能會看到剛開始電容量略微增加，但隨即在您接近額定電容量時穩(wěn)定下降。通常對于Class II電介質(zhì)，直流偏壓介于-10%到-70%之間。
隨著施加電壓增加，有效電容量下降。直流偏壓是可重復(fù)的，只要您不超過額定電壓，對電容器性能或壽命都不會造成嚴(yán)重影響。