請參閱下表。
高介電常數(shù)型
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溫度補(bǔ)償型
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主要
溫度
特性
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B/X5R、R/X7R 特性等
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CH、COG 特性等
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特征
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?主要原料：強(qiáng)介電性材料鈦酸鋇（BaTiO3）
?室溫下，擁有1000~20000的高相對介電常數(shù)，實(shí)現(xiàn)了體積小容量大。
?隨著溫度或電壓的變化，相對介電常數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，因此當(dāng)用于電路的時(shí)間常數(shù)時(shí)，需事前確認(rèn)電子電路動(dòng)作狀態(tài)進(jìn)行變化的可能性。
?靜電容量會(huì)隨著時(shí)間而變化。
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?主要原料：一般介電材料氧化鈦（TiO2）或鋯酸鈣（CaZrO3）
?相對介電常數(shù)為20~300左右，與高介電常數(shù)相比靜電容量較小。
?隨著溫度的變化，相對介電常數(shù)會(huì)呈直線變化。
隨著時(shí)間的變化，容量值基本保持不變，即使處于高溫、高電力、高頻率的環(huán)境中tane（電容損耗）也很小，穩(wěn)定性極佳。
?基本不會(huì)受到介電常數(shù)的時(shí)間變化或施加電壓的影響，且具有較高的Q值（1000~8000）。
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主要
用途
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?常用于電腦、數(shù)碼家電、智能手機(jī)等。
?利用其優(yōu)異的高頻特性，作為去耦電容器防止噪音發(fā)生或發(fā)揮其優(yōu)異的吸收功能，廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域。
最近可獲得數(shù)μF~100μF的容量值，因此還被應(yīng)用于各類電源的平滑電容器。
?此外還被廣泛使用于分路器、連接器、過濾電路等領(lǐng)域中。
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?常用于電視調(diào)諧器電路中。
?最近可擴(kuò)大至0.1μF的靜電容量，開始用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的緩沖電路或音頻設(shè)備等。
此外還被用于高頻電路中（振蕩、調(diào)音、連接器電路等）。
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時(shí)間變化
陶瓷電容器中，尤其是高誘電率系列電容器(B/X5R、R/X7R特性)，具有靜電容量隨時(shí)間延長而降低的特性。
陶瓷電容器中，尤其是高誘電率系列電容器(B/X5R、R/X7R特性)，具有靜電容量隨時(shí)間延長而降低的特性。
當(dāng)在時(shí)鐘電路等中使用時(shí)，應(yīng)充分考慮此特性，并在實(shí)際使用條件及實(shí)際使用設(shè)備上進(jìn)行確認(rèn)。
例如，如下圖所示，經(jīng)過的時(shí)間越長，其實(shí)效靜電容量越低。(在對數(shù)時(shí)間圖上基本呈直線線性降低)
＊下圖橫軸表示電容器的工作時(shí)間(Hr)，縱軸表示的是相對于初始值的靜電容量的變化率的圖表。
如圖中所示，靜電容量隨著時(shí)間延長而降低的特性稱為靜電容量的經(jīng)時(shí)變化(老化)。
此外，對于老化特性，不僅僅限于本公司的產(chǎn)品，在所有高誘電率型電容器中都有此現(xiàn)象，在溫度補(bǔ)償用電容器中沒有老化特性。
另外，因老化而導(dǎo)致靜電容量變小的電容器，當(dāng)由于工序中的焊接作業(yè)等使溫度再次被加熱到居里溫度(約125°C)以上時(shí)，靜電容量將得到恢復(fù)。
而且，當(dāng)電容器溫度降至居里溫度以下時(shí)，將再一次開始老化。
關(guān)于老化特性的原理
陶瓷電容器中的高誘電率系列電容器，現(xiàn)在主要使用以BaTiO3(鈦酸鋇)作為主要成分的電介質(zhì)。
BaTiO3具有如下圖所示的鈣鈦礦(perovskite)形的晶體結(jié)構(gòu)，在居里溫度以上時(shí)，為立方晶體(cubic)，Ba2+離子位于頂點(diǎn)，O2-離子位于表面中心，Ti4+離子位于立方體中心的位置。
上圖是在居里溫度(約125℃)以上時(shí)的立方體(cubic)的晶體結(jié)構(gòu)，在此溫度以下的常溫領(lǐng)域，為一個(gè)軸(C軸)伸長，其他軸略微縮短的正方晶系(tetragonal)晶體結(jié)構(gòu)。
此時(shí)，作為Ti4+離子在結(jié)晶單位的延長方向上發(fā)生了偏移的結(jié)果，產(chǎn)生極化，不過，這個(gè)極化即使在沒有外部電場或電壓的情況下也會(huì)產(chǎn)生，因此，稱為自發(fā)極化(spontaneous polarization)。
像這樣，具有自發(fā)極化，而且可以根據(jù)外部電場轉(zhuǎn)變自發(fā)極化的朝向的特性，被特稱為強(qiáng)誘電型。
（有時(shí)將菱面體晶系稱為三方晶系，把斜方晶系稱為單斜晶系。）
另外，當(dāng)將BaTiO3加熱到居里溫度以上時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)將從正方晶體向立方晶體進(jìn)行相轉(zhuǎn)移。伴隨此變化自發(fā)極化將消失，并且疇也將不存在。
當(dāng)將其冷卻到居里溫度以下時(shí)，在居里溫度附近，從立方晶體向正方晶體發(fā)生相轉(zhuǎn)移，并且C軸方向?qū)⒀娱L約1%，其他軸將略微縮短，自發(fā)極化及疇將生成。同時(shí)晶粒將受到因變形而產(chǎn)生的壓力。
在此時(shí)，晶粒內(nèi)生成多個(gè)微小的疇，各個(gè)疇所具有的自發(fā)極化處于即使在低電場的情況下也很容易發(fā)生相轉(zhuǎn)變的狀態(tài)。
如果在居里溫度以下，以無負(fù)載的狀態(tài)放置，隨著時(shí)間的延長，朝著隨機(jī)方向生成的疇將具有更大的尺寸，并且向著能量更趨穩(wěn)定的形態(tài)(圖90°domain)逐漸進(jìn)行再配列，從而釋放由于晶體的變形而帶來的壓力。
除此之外，晶界層的空間電荷(移動(dòng)緩慢的離子及空隙點(diǎn)等)將發(fā)生移動(dòng)，并產(chǎn)生空間電荷的極化?？臻g電荷的極化將對自發(fā)極化產(chǎn)生作用，阻礙自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變。
所以，自發(fā)極化從生成開始隨著時(shí)間的延長，逐漸向著自發(fā)極化趨于穩(wěn)定的狀態(tài)進(jìn)行再配列，與此同時(shí)，在晶界層產(chǎn)生空間電荷極化，并使自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變受到阻礙。
在這種狀態(tài)下，為了使各疇所具有的自發(fā)極化發(fā)生相轉(zhuǎn)變，必需要有更強(qiáng)的電場。
與單位體積內(nèi)的自發(fā)極化的相轉(zhuǎn)變相同的是電容率，因此如果減少在弱電場下發(fā)生相轉(zhuǎn)變的疇，靜電容量將降低。
上述內(nèi)容被普遍認(rèn)為是老化特性的原理。
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